Name: IPB100N04S4H2ATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPB100N04S4H2ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

La imatge és com a referència, poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir la imatge real

Part del fabricant: IPB100N04S4H2ATMA1

Fabricant: IR (Infineon Technologies)

Descripció: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Categoria: productes semiconductors discrets

Família: transistors - fets, mosfets - senzills

Sèrie: -

En estoc: 4200000

Fulls de dades en línia: IPB100N04S4H2ATMA1 PDF

IPB100N04S4H2ATMA1 Avís

Chimicron és un distribuïdor independent de components electrònics. Tenim fonts fiables de components electrònics, només venem productes nous i originals i oferim 1 any de garantia per als nostres productes. Compra el IPB100N04S4H2ATMA1 IR (Infineon Technologies) a chimicron.com. Tenim peces 4200000 de IPB100N04S4H2ATMA1 en estoc disponibles ara. Envieu una consulta per IPB100N04S4H2ATMA1 o envieu un correu electrònic a [email protected], ens posarem en contacte amb vosaltres en 24 hores.

Investigació

Companyia

Contacte *

Telèfon *

Correu electrònic *

País

Quantitat *

Preu objectiu (USD)

Contingut

Captcha

sèrie:OptiMOS™
paquet:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estat de la part:Active
tipus fet:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drenatge a la tensió de font (vdss):40 V
corrent - drenatge continu (id) @ 25 °c:100A (Tc)
tensió de la unitat (max rds activat, min rds activat):10V
rds activat (màx.) @ id, vgs:2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (màx.) @ id:4V @ 70µA

càrrega de la porta (qg) (màx.) @ vgs:90 nC @ 10 V
vgs (màx.):±20V
capacitat d'entrada (ciss) (màx.) @ vds:7180 pF @ 25 V
fet característica:-
dissipació de potència (màx.):115W (Tc)
Temperatura de funcionament:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipus de muntatge:Surface Mount
paquet del dispositiu del proveïdor:PG-TO263-3-2
paquet / estoig:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Enviament	Termini de lliurament	Per a les peces en estoc, es calcula que les comandes s'enviaran en 3 dies. Enviem les comandes un cop al dia a les 5 de la tarda, excepte diumenge. Un cop enviat, el temps de lliurament estimat depèn dels missatges següents que trieu. DHL Express, 3-7 dies laborables Comerç electrònic de DHL, 12-22 dies laborables FedEx International Priority, 3-7 dies laborables EMS, 10-15 dies laborables Correu aeri registrat, 15-30 dies laborables
	Tarifes d'enviament	Les tarifes d'enviament de la teva comanda es poden consultar al carretó de la compra.
	Opció d'enviament	Oferim enviaments internacionals de DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express i correu aeri registrat.
	Seguiment d'enviament	T'avisarem per correu electrònic amb el número de seguiment un cop s'enviï la comanda. També podeu trobar el número de seguiment a l'historial de comandes.

Devolució / Garantia	Tornant	Les devolucions s'accepten normalment quan es completen en un termini de 30 dies a partir de la data d'enviament, poseu-vos en contacte amb el servei d'atenció al client per obtenir una autorització de devolució. Les peces han d'estar sense utilitzar i en l'embalatge original. El client s'ha de fer càrrec de l'enviament.
Devolució / Garantia	Garantia	Totes les compres inclouen una política de devolució de diners de 30 dies, a més d'una garantia de 90 dies contra qualsevol defecte de fabricació. Aquesta garantia no s'aplicarà a cap article on els defectes hagin estat causats per un muntatge inadequat del client, l'incompliment per part del client de les instruccions, la modificació del producte, el funcionament negligent o inadequat.

Recomanació per a tu

Número de part	Descripció	estoc	Preu unitari
IXTH3N150 Wickmann / Littelfuse	MOSFET N-CH 1500V 3A TO247	En estoc: 286 Està demanat: 286	$10.12033
FQD10N20CTM Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK	En estoc: 25.000 Està demanat: 25.000	$0.67000
DMN6013LFGQ-7 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333	En estoc: 100.000 Està demanat: 100.000	$0.93000
NTMS7N03R2G Rochester Electronics	MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC	En estoc: 907.000 Està demanat: 907.000	$0.64000
NTD3055-094T4G Rochester Electronics	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	En estoc: 11.440 Està demanat: 11.440	$0.27000
RUM001L02T2CL ROHM Semiconductor	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3	En estoc: 5.500 Està demanat: 5.500	$0.36000
NTTFS4C06NTAG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN	En estoc: 241.283 Està demanat: 241.283	$0.92000
FDS3580 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC	En estoc: 52.500 Està demanat: 52.500	$1.61000
IXFR24N80P Wickmann / Littelfuse	MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247	En estoc: 50.000 Està demanat: 50.000	$10.29400
NTE454 NTE Electronics, Inc.	MOSFET-DUAL GATE N-CH	En estoc: 1.500 Està demanat: 1.500	$16.36000